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[TVS瞬态抑制二极管的结构核心是什么呢?] 南京卡斯电子有限公司

作者: 编辑: 来源: 发布日期: 2021.05.20 浏览次数:1
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TVS瞬态抑制二极管的结构核心就是所谓的PN结。一块一侧掺杂成P型半导体,另一侧参杂成N型半导体,中间二者相连的接触面称为PN结。PN结是电…

TVS瞬态抑制二极管的结构核心就是所谓的PN 一块一侧掺杂成P型半导体,另一侧参杂成N型半导体,中间二者相连的接触面称为PN结。PN结是电子技术中许多元件,例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。 在一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是 P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时,P型半导体和 N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结。 南京卡斯电子有限公司

PN结结构

我们采用不同的掺杂工艺,在同一块本征半导体(硅或者锗)上加入三价离子(如硼)和五价离子(如磷),在原来的本征半导体上就形成可一个P区一个N区。「南京卡斯电子」

N区的自由电子(多子)由于浓度较高,会自发地向低浓度的P区扩散并与P区的空穴复合。从宏观上看,也可以看成P区的空穴向N区扩散,N区的自由电子向P区扩散,扩散厚的粒子相互复合,从而在交界处形成一个空间电荷区(也称耗尽层)。耗尽层形成了一个由N区指向P区的内电场,内电场阻碍了多子的扩散而有利于少子的漂移。随着内电场的逐渐增强,致使多子的扩散逐渐减弱而少子漂移逐渐增强,最终达到平衡。 「南京卡斯电子有限公司」

R6系列封装图

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