被动电子元器件源头供应商
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TVS瞬态抑制二极管的结构核心就是所谓的PN结 。一块一侧掺杂成P型半导体，另一侧参杂成N型半导体，中间二者相连的接触面称为PN结。PN结是电子技术中许多元件，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。 在一块单晶半导体中，一部分掺有受主杂质是 P型半导体，另一部分掺有施主杂质是N型半导体时，P型半导体和 N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结。 「南京卡斯电子有限公司」
我们采用不同的掺杂工艺，在同一块本征半导体（硅或者锗）上加入三价离子（如硼）和五价离子（如磷），在原来的本征半导体上就形成可一个P区一个N区。「南京卡斯电子」
N区的自由电子（多子）由于浓度较高，会自发地向低浓度的P区扩散并与P区的空穴复合。从宏观上看，也可以看成P区的空穴向N区扩散，N区的自由电子向P区扩散，扩散厚的粒子相互复合，从而在交界处形成一个空间电荷区（也称耗尽层）。耗尽层形成了一个由N区指向P区的内电场，内电场阻碍了多子的扩散而有利于少子的漂移。随着内电场的逐渐增强，致使多子的扩散逐渐减弱而少子漂移逐渐增强，最终达到平衡。 「南京卡斯电子有限公司」
「南京卡斯电子有限公司」有着20多年行业经验，是国内研发、生产“方片式”单、双向可控硅最早的厂家之一，规格齐全，根据客户需求免费设计、送样。拥有专业的技术团队，提供专业的售后服务以及技术咨询，为客户解决后顾之忧。欢迎前来咨询选购！
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