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双向可控硅的注意事项[南京卡斯电子]

作者: 编辑: 来源: 发布日期: 2020.04.28 浏览次数:1
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在交流调压领域,现在用户多采用双向可控硅,它本身具有重量轻,体积小巧,方便使用,效率高等良好优点,这些优点对于提高生产效率,降低生产成本有显…

在交流调压领域,现在用户多采用双向可控硅,它本身具有重量轻,体积小巧,方便使用,效率高等良好优点,这些优点对于提高生产效率,降低生产成本有显著效果,但是它也可能会过载,抗干扰能力也不足,所以南京卡斯今天给大家讲讲双向可控硅的使用注意事项,以提高生产效率,避免大家在生产中遇到这些问题。

双向可控硅

1.灵敏度

双向可控硅是一个三端元件,但我们不再称其两极为阴阳极,而是称作T1和T2极,G为控制极,其控制极上所加电压无论为正向触发脉冲或负向触发脉冲均可使控制极导通,但是触发灵敏度互不相同,即保证双向可控硅能进入导通状态的最小门极电流IGT是有区别的。

2.可控硅过载的保护

可控硅元件优点很多,但是它过载能力差,短时间的过流,过压都会造成元件损坏,因此为保证元件正常工作,需有条件:

(1)外加电压下允许超过正向转折电压,否则控制极将不起作用;

(2)可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按最大电流的1.5~2倍来取;

(3)为保证控制极可靠触发,加到控制极的触发电流一般取大于其额值,除此以外,还必须采取保护措施,一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器,其额定电流取可控硅电流平均值的1.5倍左右,其接入的位置可在交流侧或直流侧,当在交流侧时额定电流取大些,一般多采用前者,过电压保护常发生在存在电感的电路上,或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于,过电压的尖峰高,作用时间短,常采用电阻和电容吸收电路加以抑制。

3.控制大电感负载时的干扰电网和自干扰的避免

可控硅元件控制大电感负载时会有干扰电网和自干扰的现象,其原因是当可控硅元件控制一个连接电感性负载的电路断开或闭合时,其线圈中的电流通路被切断,其变化率极大,因此在电感上产生一个高电压,这个电压通过电源的内阻加在开关触点的两端,然后感应电压一次次放电直到感应电压低于放电所必须的电压为止,在这一过程中将产生极大的脉冲束。这些脉冲束叠加在供电电压上,并且把干扰传给供电线或以辐射形式传向周围空间,这种脉冲具有很高的幅度,很宽的频率,因而具有感性负载的开关点是一个很强的噪声源。

这就是对于双向可控硅的控制方法的基本讲解,如果大家对于双向可控硅的使用注意事项还有其他问题,可以联系南京卡斯,南京卡斯电子竭诚为您服务。

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