场效应管和可控硅都在电子电路中作为开关型器件运用广泛，这两种器件运用范围类似，因此也长被比较，但是这两者还是存在本质的区别。效应管包括结型场效应管 JFET和金属-氧化物半导体场效应管MOSFET，而可控硅按照导通方向可以分为单向可控硅 SCR和双向可控硅Triac。南京卡斯详细讲一下场效应管和可控硅的具体区别。

什么是场效应管

这里主要介绍MOSFET。MOSFET有三个电极，分别为栅极G、源极S和漏极D，其中栅极G为控制端，源极S和漏极D为输出端。从半导体的构成方面可以分为NMOS和PMOS。这两种MOS的电路符号如下图所示

PMOS的衬底为N型半导体，在VGS《0时，会形成P沟道，所以叫做P沟道MOS；而NMOS的衬底为P型半导体，在VGS》0时，会形成N沟道，所以叫做N沟道MOS。

MOS管是电压驱动型的器件，主要用作可控整流、功率开关、信号放大等，应用比较广泛。MOS管的通道依靠VGS的电平，对于NMOS而言，VGS 》0时，NMOS导通，否则NMOS截止；对于PMOS而言，VGS《0，PMOS导通，否则截止。

可控硅

可控硅又称可控硅，其与场效应管一样，皆为半导体器件，它们的外形封装也基本一样，但它们在电路中的用途却不一样。

可控硅可分为单向可控硅和双向可控硅两种。它们在电子电路中可以作为电子开关使用，用来控制负载的通断；可以用来调节交流电压，从而实现调光、调速、调温。另外，单向可控硅还可以用于整流。

可控硅在日常中用的很广，像家里用的声控灯，一般采用BT169、MCR100-6这类小功率单向可控硅作为电子开关驱动灯泡工作。在白炽灯泡无级调光或电风扇无级调速电路中，常用BT136这类大功率的双向可控硅来实现调光或调速。

可控硅与场效应管的区别

场效应管属于单极型半导体器件，其可以分为结型场效应管和MOS场效应管两种，每种类型的场效应管又有P沟道和N沟道之分。场效应管在电子电路中既可以作为放大器件用来放大信号，又可以作为开关器件用来控制负载的通断，故场效应管的用途比可控硅更广一些。

在功放电路中，采用VMOS场效应管作为功率放大元件，可以提高音质；在开关电路中，驱动电机等大电流负载时，选用MOS场效应管作为电子开关，可以减轻前级驱动电路的负担（若选用可控硅的话，需要从前级电路汲取较大的驱动电流）。

综上，场效应管和可控硅的区别就是：场效应管既可以放大信号，亦可以作为高速电子开关控制负载的通断，同时还可以实现调速、调光、调温等功能，而可控硅不能用来构成放大器放大信号，用作电子开关时，工作频率也不及场效应管高，只能用于低速控制。南京卡斯为大家讲了一些可控硅与场效应管的定义以及运用方面的区别，如果大家还有不清楚的地方可以联系我们。